對二維材料的基底以及晶圓表面進行平坦化處理，以消除表面起伏和缺陷，提高表面的平整度，精確控制晶圓表面薄膜的厚度，對于提高芯片的性能和可靠性具有重要意義，也便于后續工藝步驟的順利進行。
拋光盤系統:拋光盤材質為鋁合金（鋁&硬質陽極氧）；拋光盤由功率1.5kW的減速電機驅動；轉速范圍：0~180rpm，誤差在±2rpm以內，可無級調節；配有緩慢啟動、緩慢停止系統；拋光盤底座冷卻系統，配置紅外溫度檢測系統；拋光盤尺寸530mm；
CMP設備4/6/8寸都可以兼容。
拋光頭加壓、驅動系統：拋光頭數量為1個；拋光頭驅動電機功率：0.75kW；
拋光頭轉速范圍：0～200 rpm，速度可調；拋光頭加壓：柔性加壓，壓力可調；
拋光頭分區：3 zone（6寸），5 zone（8英寸），4英寸單zone；拋光頭壓力范圍：0-10 psi（8英寸）；0-7 psi（6英寸）；壓力誤差在±1%psi以內；拋光頭擺動速度：5r/min；拋光頭擺動角度：±1°；
拋光液供應系統：配置3路單獨的隔膜泵供液系統（可使用三種不同類型拋光液供液，防止同一路使用時有污染）；拋光液閉環流量控制器供液范圍：50-200 ml/min；拋光液閉環流量控制器供液控制精度：±1%。
半自動上下片系統：具備半自動上下片（拋光頭可旋轉至上料工位吸取晶圓，可旋轉至下料工位吸取晶圓），拋光頭兩側配置Loading&Unloading工位，上下片分開，避免污染。
金剛石修整器：方式：擺臂式；修整器壓力：max 9kfg；修整頭轉速范圍：0~150rpm（轉速誤差范圍±1%）；修整器直徑：100mm；
修整頭及拋光墊清洗：修整頭清洗：噴頭清洗；拋光墊清洗：水槍清洗。
控制系統：具備飛片檢測，對于拋光片在拋光過程中的飛片可以進行實時檢測，出現飛片報警停機；同時搭配摩擦力EPD（金屬Cu-SiO2介質層切換時截停）和光學寬譜EPD（SiO2層厚度監測）終點監測系統；控制方式：PC中文界面控制，可實現EPD等大量數據的計算以及存儲；可保存20組拋光程序，程序具有故障診斷功能。
安全儲能系統，要求：通過分離式結構保證安全性更高；功率大于7kW；電池容量不小于15kwh,循環壽命大于5500次。
其他配件：水槍：1把，在設備前部；有防護擋板
530 mm
